RAHMOUNE Halima

LEM3 – site principal - 7 rue Félix Savart, 57070 Metz
Bureau DN2-005

Doctorant

Rattaché(e) au(x) Département 2 - IMPACT

Relations Microstructure-Propriétés de semiconducteurs de dernière génération tels que GaN et de couches minces semiconductrices oxydes tels que ZnSb2O6 déterminées par des procédures innovantes à optimiser


Nabila MALOUFI
Mis à jour le 22/04/2024

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